Vishay MOSFET Canal N, SOT-23 5,9 A 20 V, 3 Broches
About The 04mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: SI2374DS-T1-GE3.Vishay MOSFET canal N, SOT-23 5,9 A 20 V, 3 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 41 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 1V, Tension de seuil minimale de la grille: 0
Vishay MOSFET canal N, SOT-23 5,9 A 20 V, 3 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 41 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 1V, Tension de seuil minimale de la grille: 0.4V, Dissipation de puissance maximum: 1,7 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: ±8 V, Longueur: 3.04mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: SI2374DS-T1-GE3
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Vishay MOSFET Canal N, SOT-23 5,9 A 20 V, 3 Broches
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Specifications of Vishay MOSFET Canal N, SOT-23 5,9 A 20 V, 3 Broches | |
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