reorder
ALWAYS Be Happy search home
c
Combo Blog
Categories
Play Games New
Composants Electroniques & Energie et Connecteurs
Semi-conducteurs
Composants discrets
Transistors MOSFET
Vishay

Vishay MOSFET Canal N, SOIC 2,7 A 150 V, 8 Broches

About The Vishay MOSFET canal N, SOIC 2,7 A 150 V, 8 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 95 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil minimale de la grille: 2V, Dissipation de puissance maximum: 3 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: ±20 V, Longueur: 5mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: SI4848DY-T1-GE3

Vishay MOSFET canal N, SOIC 2,7 A 150 V, 8 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 95 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil minimale de la grille: 2V, Dissipation de puissance maximum: 3 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: ±20 V, Longueur: 5mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: SI4848DY-T1-GE3

Composants Electroniques & Energie et Connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors MOSFET

Vishay MOSFET Canal N, SOIC 2,7 A 150 V, 8 Broches

Composants Electroniques & Energie et Connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors MOSFET

Specifications of Vishay MOSFET Canal N, SOIC 2,7 A 150 V, 8 Broches

Category
Instockinstock

Last Updated

Vishay MOSFET Canal N, SOIC 2,7 A 150 V, 8 Broches
More Varieties

Rating :- 9.94 /10
Votes :- 7