Vishay MOSFET canal N, SOIC 2,7 A 150 V, 8 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 95 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil minimale de la grille: 2V, Dissipation de puissance maximum: 3 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: ±20 V, Longueur: 5mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: SI4848DY-T1-GE3
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Vishay MOSFET Canal N, SOIC 2,7 A 150 V, 8 Broches
Specifications of Vishay MOSFET Canal N, SOIC 2,7 A 150 V, 8 Broches | |
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