RS PRO Tablier Jetable Polyéthylène Basse Densité Rouge

4mm, Matériau de contact: Laiton, Bronze phosphoreux, Type: Prise banane, Matériau de l'isolant: ABS, MPN: BU-00243-2.

1mΩ, boitier 0402 (1005M) ±1%, Technologie: Film couche épaisse, Standard automobile: AEC-Q200, Température d'utilisation minimum: -55°C, Température d'utilisation maximum: +155°C, MPN: CRCW04021M10FKED.

Murata Perle ferrite (0603 (1608M)) Perle de ferrite pour circuit200mA, 1.8mm, Impédance à 100 MHz: 330Ω, Intensité nominale: 250mA, Longueur: 1.

Telegartner Bouchon anti-poussière Femelle avec cordon pour connecteur 7-16, Finition: Cuivre-Argent, Cordon inclus: Oui, Matériau: Laiton, Type d'accessoire: Capuchon antipoussière pour connecteur RF, MPN: H00070A0000.

Fairchild Semiconductor Diode de commutation, 400mA, 100V, DO-35, 2 broches, Configuration de diode: Simple, Type de montage: Traversant, Technologie de diode: Jonction au silicium, Chute minimale de tension directe: 1V, Capacitance de diode maximum: 4pF, Température de fonctionnement minimum: -65 °C, Température d'utilisation maximum: +175 °C, Longueur: 4.91mm, MPN: 1N4148TR.

Microchip Microcontrôleur, 8bit, 128 B RAM, 2 Ko, 20MHz,, DIP 14, série ATtiny24A, Type de boîtier: PDIP, Type de montage: CMS, Cœur du circuit: AVR, MPN: ATTINY24A-PU.

RS PRO Tablier jetable Polyéthylène basse densité Rouge, Genre: Unisexe, Propriétés des matériaux: Sans risques pour les aliments, Tour de taille: 69cm, Longueur: 1.34m, Quantité par paquet: 200.

onsemi MOSFET canal N, TO-220AB 75 A 55 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 12 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil minimale de la grille: 2V, Dissipation de puissance maximum: 200 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -20 V, +20 V, Hauteur: 9.67mm, MPN: HUF75339P3.

34m, Quantité par paquet: 200.RS PRO Tablier jetable Polyéthylène basse densité Rouge, Genre: Unisexe, Propriétés des matériaux: Sans risques pour les aliments, Tour de taille: 69cm, Longueur: 1.

67mm, MPN: HUF75339P3.4mm, Longueur: 10.onsemi MOSFET canal N, TO-220AB 75 A 55 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 12 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil minimale de la grille: 2V, Dissipation de puissance maximum: 200 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -20 V, +20 V, Hauteur: 9.