Onsemi MOSFET Canal N, SC-89-6 600 MA 20 V, 6 Broches
About The 6V, Dissipation de puissance maximum: 625 mW, Configuration du transistor: Isolé, Tension Grille Source maximum: -12 V, +12 V, Longueur: 1.6mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: FDY3000NZ
onsemi MOSFET canal N, SC-89-6 600 mA 20 V, 6 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 700 MΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil minimale de la grille: 0.6V, Dissipation de puissance maximum: 625 mW, Configuration du transistor: Isolé, Tension Grille Source maximum: -12 V, +12 V, Longueur: 1.6mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: FDY3000NZ
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Onsemi MOSFET Canal N, SC-89-6 600 MA 20 V, 6 Broches
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Specifications of Onsemi MOSFET Canal N, SC-89-6 600 MA 20 V, 6 Broches | |
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