Infineon MOSFET Canal N, Micro6 6,5 A 20 V, 6 Broches

Bourns Résistance CMS série PWR163 12Ω, boitier DPAK ±1% 25W, Technologie: Film couche épaisse, Coefficient de température: ±100ppm/°C, Standard automobile: AEC-Q200, Température d'utilisation minimum: -55°C, Température d'utilisation maximum: +155°C, MPN: PWR163S-25-12R0F.

3 x 32mm Type T 500V c.a., Matériau du corps: Céramique, Classe UL: UL 248-13.RS PRO Cartouche fusible, 5A 6.

Bourns Résistance CMS série PWR3014 47Ω, boitier 3014 (7836M) ±5% 1W, Technologie: Bobiné, Coefficient de température: ±20ppm/°C, Température d'utilisation minimum: -55°C, Température d'utilisation maximum: +155°C, MPN: PWR3014W47R0JE.

SAM Poignée coulissante 1/4", 75 mm, Carré, Modèle: NR-210, Sous type: Barre d'extension.

54mm, Traversant, Angle droit, Type: Barrette, Série: SSQ, MPN: SSQ-105-02-T-S-RA.Samtec Connecteur femelle pour CI, 5 contacts, 1 rangée, 2.

54mm, Traversant, Angle droit, Type: Barrette, Série: SSQ, MPN: SSQ-104-02-T-D-RA.Samtec Connecteur femelle pour CI, 8 contacts, 2 rangées, 2.

Infineon MOSFET canal N, Micro6 6,5 A 20 V, 6 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 45 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 1.2V, Tension de seuil minimale de la grille: 0.6V, Dissipation de puissance maximum: 2 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -12 V, +12 V, Longueur: 3mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: IRLMS2002TRPBF.

5mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Courant de fuite inverse maximum: 10nA, Largeur: 4mm, MPN: ETP01-2821RL.3V, Courant d'impulsion crête maximum: 150A, Température de fonctionnement minimum: -40 °C, Dimensions: 5 x 4 x 1.

6V, Dissipation de puissance maximum: 2 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -12 V, +12 V, Longueur: 3mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: IRLMS2002TRPBF.2V, Tension de seuil minimale de la grille: 0.Infineon MOSFET canal N, Micro6 6,5 A 20 V, 6 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 45 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 1.

STMicroelectronics Diode TVS SOIC, 8 broches, Configuration de diode: 2 paires à cathode commune, Type de montage: CMS, Tension inverse maximum à l'état bloqué: 3.5mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Courant de fuite inverse maximum: 10nA, Largeur: 4mm, MPN: ETP01-2821RL.3V, Courant d'impulsion crête maximum: 150A, Température de fonctionnement minimum: -40 °C, Dimensions: 5 x 4 x 1.