Infineon MOSFET Transistor & Diode Canal N, SOT-223 16 A 650 V, 3 Broches
About The Infineon MOSFET Transistor & Diode canal N, SOT-223 16 A 650 V, 3 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 0,6 O, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 4V, Série: CoolMOS P7, MPN: IPN60R600P7SATMA1
Infineon MOSFET Transistor & Diode canal N, SOT-223 16 A 650 V, 3 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 0,6 O, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 4V, Série: CoolMOS P7, MPN: IPN60R600P7SATMA1
Composants Electroniques & Energie et Connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors MOSFET
Infineon MOSFET Transistor & Diode Canal N, SOT-223 16 A 650 V, 3 Broches
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Specifications of Infineon MOSFET Transistor & Diode Canal N, SOT-223 16 A 650 V, 3 Broches | |
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