Infineon MOSFET Canal N, ThinPAK 8 X 8 10 A 600 V, 5 Broches

Skytec Gants de manutention Eco Bronze taille 10, XL, Thermique, Noir, vert, Matériau des gants: Polyester, Revêtement des gants: Mousse nitrile, Produit Better World: Oui, Certification Better World: Recycled Claim Standard 100, MPN: SKG00052EJ.

5V, Dissipation de puissance maximum: 300 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -30 V, +30 V, Hauteur: 9.15mm, Longueur: 10.66mm, MPN: IXTP36N30P.IXYS MOSFET canal N, A-220 36 A 300 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 110 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 5.

3V, Matériau du transistor: SiC, Série: NTH, MPN: NTHL160N120SC1.onsemi Transistor MOSFET canal N, A-247 29 A 1200 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 0,11 Ω, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 4.

Nexperia Diode CMS, 200mA, 30V, SOD-323, Configuration de diode: Simple, Type de redressement: Diode Schottky, Nombre d'éléments par circuit: 1, Technologie de diode: Barrière Schottky, courant direct de surcharge non-répétitif de crête: 600mA, MPN: 1PS76SB10,115.

Nexperia Diode CMS, 200mA, 30V, SOD-323, Configuration de diode: Simple, Type de redressement: Diode Schottky, Nombre d'éléments par circuit: 1, Technologie de diode: Barrière Schottky, courant direct de surcharge non-répétitif de crête: 600mA, MPN: 1PS76SB10,115.