Vishay MOSFET Canal N/P, PowerPAK 1212-8 Double 4 A 100 V, 8 Broches
About The 5 V, Série: TrenchFET, MPN: SiS590DN-T1-GE3.Vishay MOSFET canal N/P, PowerPAK 1212-8 double 4 A 100 V, 8 broches, Type de canal: N, P, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 0,167 O, 0,251 O, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 2
Vishay MOSFET canal N/P, PowerPAK 1212-8 double 4 A 100 V, 8 broches, Type de canal: N, P, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 0,167 O, 0,251 O, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 2.5 V, 2.5 V, Série: TrenchFET, MPN: SiS590DN-T1-GE3
Composants Electroniques & Energie et Connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors MOSFET
Vishay MOSFET Canal N/P, PowerPAK 1212-8 Double 4 A 100 V, 8 Broches
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Specifications of Vishay MOSFET Canal N/P, PowerPAK 1212-8 Double 4 A 100 V, 8 Broches | |
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