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Onsemi MOSFET Canal P, TSOP-6 2,2 A 20 V, 6 Broches

About The onsemi MOSFET canal P, TSOP-6 2,2 A 20 V, 6 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 100 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Dissipation de puissance maximum: 2 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: +12 V, Longueur: 3.1mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Charge de Grille type @ Vgs: 7,5 nC @ 4,5 V, MPN: NTGS3443T1G

onsemi MOSFET canal P, TSOP-6 2,2 A 20 V, 6 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 100 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Dissipation de puissance maximum: 2 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: +12 V, Longueur: 3.1mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Charge de Grille type @ Vgs: 7,5 nC @ 4,5 V, MPN: NTGS3443T1G

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