DiodesZetex MOSFET Canal N, X2-DFN0806 500 MA 12 V, 3 Broches
About The 4V, Dissipation de puissance maximum: 360 mW, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -8 V, +8 V, Tension directe de la diode: 1.DiodesZetex MOSFET canal N, X2-DFN0806 500 mA 12 V, 3 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 1,5 Ω, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 1V, Tension de seuil minimale de la grille: 0
DiodesZetex MOSFET canal N, X2-DFN0806 500 mA 12 V, 3 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 1,5 Ω, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 1V, Tension de seuil minimale de la grille: 0.4V, Dissipation de puissance maximum: 360 mW, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -8 V, +8 V, Tension directe de la diode: 1.2V, MPN: DMN1260UFA-7B
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DiodesZetex MOSFET Canal N, X2-DFN0806 500 MA 12 V, 3 Broches
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Specifications of DiodesZetex MOSFET Canal N, X2-DFN0806 500 MA 12 V, 3 Broches | |
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