Semelab MOSFET Canal N, TO-18 170 MA 60 V, 3 Broches
About The Semelab MOSFET canal N, TO-18 170 mA 60 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 9 Ω, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 2.5V, Dissipation de puissance maximum: 313 mW, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -3 V, +15 V, Longueur: 5
Semelab MOSFET canal N, TO-18 170 mA 60 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 9 Ω, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 2.5V, Dissipation de puissance maximum: 313 mW, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -3 V, +15 V, Longueur: 5.84mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: VN10K
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Semelab MOSFET Canal N, TO-18 170 MA 60 V, 3 Broches
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Specifications of Semelab MOSFET Canal N, TO-18 170 MA 60 V, 3 Broches | |
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