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Infineon MOSFET Canal N/P, SOIC 4,9 A, 6,5 A 30 V, 8 Broches

About The Infineon MOSFET canal N/P, SOIC 4,9 A, 6,5 A 30 V, 8 broches, Type de canal: N, P, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 46 mΩ, 98 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 1V, Dissipation de puissance maximum: 2 W, Configuration du transistor: Isolé, Tension Grille Source maximum: -20 V, +20 V, Hauteur: 1.5mm, MPN: IRF7319TRPBF

Infineon MOSFET canal N/P, SOIC 4,9 A, 6,5 A 30 V, 8 broches, Type de canal: N, P, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 46 mΩ, 98 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 1V, Dissipation de puissance maximum: 2 W, Configuration du transistor: Isolé, Tension Grille Source maximum: -20 V, +20 V, Hauteur: 1.5mm, MPN: IRF7319TRPBF

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Specifications of Infineon MOSFET Canal N/P, SOIC 4,9 A, 6,5 A 30 V, 8 Broches

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