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Infineon IGBT, DDB6U134N16RRBPSA1,, AG-ECONO2B-211

About The Infineon IGBT,, AG-ECONO2B-211, MPN: DDB6U134N16RRBPSA1

Infineon IGBT,, AG-ECONO2B-211, MPN: DDB6U134N16RRBPSA1

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Specifications of Infineon IGBT, DDB6U134N16RRBPSA1,, AG-ECONO2B-211

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IXYS MOSFET canal N, TO-264AA 48 A 500 V, 3 broches

IXYS MOSFET canal N, TO-264AA 48 A 500 V, 3 broches

96mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: IXFK48N50.

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    • Robin-Amprobe Testeur d

    Robin-Amprobe Testeur d'isolation KMP7036, 250V, 1000V (étalonné)

    99GΩ, Type d'affichage: LCD, Etalonné: Etalonné RS, Courant de test: 1mA, Type de batterie: AA, Température d'utilisation minimum: 0°C, Température d'utilisation maximum: +35°C, Niveau de catégorie de sécurité: CAT III, Tension de catégorie de sécurité: 600V, Catégorie de sécurité: CAT III 600V.

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    • Infineon Diode de protection ESD Bidirectionnel, 13.8V WLL-2-3

    Infineon Diode de protection ESD Bidirectionnel, 13.8V WLL-2-3

    Infineon Diode de protection ESD Bidirectionnel, 13.8V WLL-2-3, Configuration de diode: Bidirectionnel simple, Type de montage: Montage sur CI, MPN: ESD131B1W0201E6327XTSA1.

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    • IXYS Diode traversante, 126A, 600V, TO-247AD

    IXYS Diode traversante, 126A, 600V, TO-247AD

    3V, Technologie de diode: Jonction au silicium, Temps de recouvrement inverse crête: 50ns, courant direct de surcharge non-répétitif de crête: 660A, MPN: DSEI120-06A.IXYS Diode traversante, 126A, 600V, TO-247AD, Configuration de diode: Simple, Type de redressement: Commutation, Type diode: Redresseur, Chute minimale de tension directe: 1.

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    • IXYS Diode traversante, 126A, 600V, TO-247AD

    IXYS Diode traversante, 126A, 600V, TO-247AD

    3V, Technologie de diode: Jonction au silicium, Temps de recouvrement inverse crête: 50ns, courant direct de surcharge non-répétitif de crête: 660A, MPN: DSEI120-06A.

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