Siemens SIMATIC ET 200 SP Pour SIMATIC

a.

A.a.

Simple, SOIC Audio 2 8 broches.Simple, SOIC Audio 2 8 broches, Tension d'alimentation asymétrique typique: 3 → 9 V, Produit gain bande typique: 4MHz, Slew Rate typique: 1.9 x 3.

Schutzinger Fiche banane 4 mm Mâle 32A 33 V ac, 70V c.c., Méthode de raccordement: Filetage M4, Placage du contact: Nickel, Longueur: 26mm, Matériau de contact: Cuivre au béryllium, Type: Prise banane, MPN: FK 1209 Ni.

EPCOS Formeur de bobine E 42 à utiliser avec B66325, B66329, Profondeur totale: 37.

7A max, dimensions 12.8 x 8mm, Blindé, série B82477-G4, Longueur: 12.EPCOS Inductance CMS 100 μH, 1.8mm, Blindé: Oui, Tolérance: ±20%, Résistance DC maximale: 165mΩ, Matériau du corps: Ferrite, Structure d'inductance: Bobiné, Température d'utilisation maximum: +125°C, Température d'utilisation minimum: -55°C, MPN: B82477G4104M000.

Siemens SIMATIC ET 200 SP pour SIMATIC, Type d'entrée: Analogique, Dimensions: 58 x 20 x 73 mm, MPN: 6ES7134-6PA21-0CU0.

Texas Instruments MOSFET canal N, A-220 273 A 80 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 2,8 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 3.51mm, MPN: CSD19506KCS.1V, Dissipation de puissance maximum: 375 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -20 V, +20 V, Hauteur: 16.2V, Tension de seuil minimale de la grille: 2.

Siemens SIMATIC ET 200 SP pour SIMATIC, Type d'entrée: Analogique, Dimensions: 58 x 20 x 73 mm, MPN: 6ES7134-6PA21-0CU0.

1V, Dissipation de puissance maximum: 375 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -20 V, +20 V, Hauteur: 16.51mm, MPN: CSD19506KCS.2V, Tension de seuil minimale de la grille: 2.