STMicroelectronics MOSFET canal N, TO-247 11 A 800 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 400 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 5V, Tension de seuil minimale de la grille: 3V, Dissipation de puissance maximum: 150 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -30 V, +30 V, Hauteur: 20.15mm, MPN: STW11NM80
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STMicroelectronics MOSFET Canal N, TO-247 11 A 800 V, 3 Broches
Specifications of STMicroelectronics MOSFET Canal N, TO-247 11 A 800 V, 3 Broches | |
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