Vishay MOSFET Canal N/P, SOIC 4,7 A, 6,8 A 40 V, 8 Broches
About The Vishay MOSFET canal N/P, SOIC 4,7 A, 6,8 A 40 V, 8 broches, Type de canal: N, P, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 42,5 mΩ, 62 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil minimale de la grille: 1.2V, Dissipation de puissance maximum: 3 W, 3,1 W, Configuration du transistor: Isolé, Tension Grille Source maximum: -20 V, +20 V, Hauteur: 1
Vishay MOSFET canal N/P, SOIC 4,7 A, 6,8 A 40 V, 8 broches, Type de canal: N, P, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 42,5 mΩ, 62 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil minimale de la grille: 1.2V, Dissipation de puissance maximum: 3 W, 3,1 W, Configuration du transistor: Isolé, Tension Grille Source maximum: -20 V, +20 V, Hauteur: 1.55mm, MPN: SI4599DY-T1-GE3
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Vishay MOSFET Canal N/P, SOIC 4,7 A, 6,8 A 40 V, 8 Broches
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Specifications of Vishay MOSFET Canal N/P, SOIC 4,7 A, 6,8 A 40 V, 8 Broches | |
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