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Onsemi MOSFET ON Semiconductor Canal N, Power88 12 A 650 V, 4 Broches

About The 5V, Tension de seuil minimale de la grille: 2.onsemi MOSFET ON Semiconductor canal N, Power88 12 A 650 V, 4 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 250 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 4

onsemi MOSFET ON Semiconductor canal N, Power88 12 A 650 V, 4 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 250 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 4.5V, Tension de seuil minimale de la grille: 2.5V, Dissipation de puissance maximum: 90 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: ±30 V, Longueur: 8mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: FCMT250N65S3

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Specifications of Onsemi MOSFET ON Semiconductor Canal N, Power88 12 A 650 V, 4 Broches

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Murata Pile bouton CR2032, 3V, 20mm

Murata Pile bouton CR2032, 3V, 20mm

2mm, Numéro de modèle: CR2032X-HO6, MPN: 97384201.

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    • onsemi Contrôleur PWM, NCP4306AAHZZZADR2G, 1 MHz, 35 V, SOIC 8 broches

    onsemi Contrôleur PWM, NCP4306AAHZZZADR2G, 1 MHz, 35 V, SOIC 8 broches

    , Type de montage: CMS, Dimensions: 5 x 4 x 1.

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    • Texas Instruments Amplificateur opérationnel, montage CMS, alim.

    Texas Instruments Amplificateur opérationnel, montage CMS, alim.

    8V/µs, Température d'utilisation maximum: +85 °C, Température de fonctionnement minimum: -40 °C, Rail à rail: Non, Gain en tension typique: 140 dB, Dimensions: 4. Double, SOIC Précision 2 8 broches.Double, SOIC Précision 2 8 broches, Produit gain bande typique: 1MHz, Tension d'alimentation symétrique typique: ±12 V, ±15 V, ±3 V, ±5 V, ±9 V, Slew Rate typique: 0.58mm, MPN: OPA2277UA Texas Instruments Amplificateur opérationnel, montage CMS, alim.

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    • onsemi MOSFET canal N, A-220 24 A 650 V, 3 broches

    onsemi MOSFET canal N, A-220 24 A 650 V, 3 broches

    67mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: FCP125N65S3R0.5V, Tension de seuil minimale de la grille: 2.5V, Dissipation de puissance maximum: 181 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: ±30 V, Longueur: 10.

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    • onsemi MOSFET canal N, A-220 24 A 650 V, 3 broches

    onsemi MOSFET canal N, A-220 24 A 650 V, 3 broches

    5V, Dissipation de puissance maximum: 181 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: ±30 V, Longueur: 10.5V, Tension de seuil minimale de la grille: 2.

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