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Infineon MOSFET Transistor & Diode Canal N, D2PAK (TO-263) 70 A 120 V, 3 Broches

About The Infineon MOSFET Transistor & Diode canal N, D2PAK (TO-263) 70 A 120 V, 3 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 0,0113 O, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 4V, Série: OptiMOS, MPN: IPB70N12S311ATMA1

Infineon MOSFET Transistor & Diode canal N, D2PAK (TO-263) 70 A 120 V, 3 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 0,0113 O, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 4V, Série: OptiMOS, MPN: IPB70N12S311ATMA1

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Specifications of Infineon MOSFET Transistor & Diode Canal N, D2PAK (TO-263) 70 A 120 V, 3 Broches

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Wurth Elektronik Embase pour CI, WR-MPC3, 6 pôles, 3.0mm 1 rangée, 5.0A, Droit

Wurth Elektronik Embase pour CI, WR-MPC3, 6 pôles, 3.0mm 1 rangée, 5.0A, Droit

Wurth Elektronik Embase pour CI, WR-MPC3, 6 pôles, 3.

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    5V, Nombre d'éléments par circuit: 1, Série: CoolMOS P6, MPN: IPL60R360P6SATMA1.Infineon MOSFET Transistor & Diode canal N, ThinPAK 5 x 6 30 A 650 V, 5 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 0,36 O, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 4.

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    Infineon MOSFET Transistor & Diode canal N, ThinkPAK 8 x 8 151 A 650 V, 5 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 0,065 O, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 30V, Série: CoolMOS P7, MPN: IPL60R065P7AUMA1.

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    Infineon MOSFET Transistor & Diode canal N, SuperSO8 5 x 6 20 A 40 V, 8 broches, MPN: IPG20N04S4L07AATMA1.

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    Infineon MOSFET Transistor & Diode canal N, SuperSO8 5 x 6 20 A 40 V, 8 broches, MPN: IPG20N04S4L07AATMA1.

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