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Infineon MOSFET Transistor & Diode Canal N, ThinkPAK 8 X 8 151 A 650 V, 5 Broches

About The Infineon MOSFET Transistor & Diode canal N, ThinkPAK 8 x 8 151 A 650 V, 5 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 0,065 O, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 30V, Série: CoolMOS P7, MPN: IPL60R065P7AUMA1

Infineon MOSFET Transistor & Diode canal N, ThinkPAK 8 x 8 151 A 650 V, 5 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 0,065 O, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 30V, Série: CoolMOS P7, MPN: IPL60R065P7AUMA1

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Specifications of Infineon MOSFET Transistor & Diode Canal N, ThinkPAK 8 X 8 151 A 650 V, 5 Broches

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Freudenberg Sealing Technologies Simrit Joint d'arbre tournant Freudenberg Sealing Ø int.

Freudenberg Sealing Technologies Simrit Joint d'arbre tournant Freudenberg Sealing Ø int.

32mm en 72 NBR 902 32mm en 72 NBR 902, Epaisseur: 7mm, Température de fonctionnement minimum: -30°C, Température de fonctionnement maximum: +100°C, MPN: 40411164.

  • Mécanique & Fluides et Outillage
  • Roulements et joints
  • Joints et étanchéité
  • Joints
  • Freudenberg Sealing Technologies Simrit
    • Legrand Boîte de raccordement, SC

    Legrand Boîte de raccordement, SC

    Legrand Boîte de raccordement, SC, MPN: 413050.

  • EPI & Sécurité & Informatique et Tests et Mesures
  • Informatique et périphériques
  • Réseaux et WiFi
  • Accessoires de panneau de brassage pour fibre optique
  • Legrand
    • Schneider Electric Disjoncteur Acti9 iDT40T 3P, 10A, montage rail DIN, Caractéristique de déclenchement: Type C, Tension c.a.

    Schneider Electric Disjoncteur Acti9 iDT40T 3P, 10A, montage rail DIN, Caractéristique de déclenchement: Type C, Tension c.a.

    nominale: 400V, Gamme: Acti 9, Produit Better World: Oui, Certification Better World: Green Premium, MPN: A9P22310 Schneider Electric Disjoncteur Acti9 iDT40T 3P, 10A, montage rail DIN.

  • Automatisme Industriel & Contrôle de process & Electrique et Câbles
  • Fusibles et disjoncteurs
  • Disjoncteurs électriques
  • Disjoncteurs
  • Schneider Electric
    • RS PRO Plaque PETG Incolore, 1200mm x 620mm x 8mm

    RS PRO Plaque PETG Incolore, 1200mm x 620mm x 8mm

    27g/cm³, Dureté: Shore D 78, Indice d'inflammabilité: UL 94 HB, Absorption d'eau: 0%, Température d'utilisation maximum: +65°C, Allongement: 50%.RS PRO Plaque PETG Incolore, 1200mm x 620mm x 8mm, Forme: Complet, Composite: Non, Densité: 1.

  • Mécanique & Fluides et Outillage
  • Matériaux de construction et Matériel industriel
  • Matériaux plastiques et caoutchoucs
  • Plaques en plastique
  • RS PRO
    • STMicroelectronics Amplificateur opérationnel, montage CMS, alim.
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  • Amplificateurs et comparateurs
  • Amplificateurs opérationnels
  • STMicroelectronics
    • Wurth Elektronik Embase pour CI, WR-MPC3, 6 pôles, 3.0mm 1 rangée, 5.0A, Droit

    Wurth Elektronik Embase pour CI, WR-MPC3, 6 pôles, 3.0mm 1 rangée, 5.0A, Droit

    0A, Droit, Enveloppé/Non-Enveloppé: Enveloppé, Système de connecteurs: Fil à Carte, Type de montage: Traversant, Type de raccordement: A souder, Matériau du contact: Alliage de cuivre, Tension: 250,0 V, MPN: 66200611122.

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  • Boîtiers et connecteurs pour circuits imprimés
  • Embases circuits imprimés
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    • Infineon MOSFET Transistor & Diode canal N, ThinPAK 5 x 6 30 A 650 V, 5 broches

    Infineon MOSFET Transistor & Diode canal N, ThinPAK 5 x 6 30 A 650 V, 5 broches

    Infineon MOSFET Transistor & Diode canal N, ThinPAK 5 x 6 30 A 650 V, 5 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 0,36 O, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 4.5V, Nombre d'éléments par circuit: 1, Série: CoolMOS P6, MPN: IPL60R360P6SATMA1.

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    Infineon MOSFET Transistor & Diode canal N, ThinkPAK 8 x 8 151 A 650 V, 5 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 0,065 O, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 30V, Série: CoolMOS P7, MPN: IPL60R065P7AUMA1.

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    Infineon MOSFET Transistor & Diode canal N, ThinPAK 5 x 6 30 A 650 V, 5 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 0,36 O, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 4.5V, Nombre d'éléments par circuit: 1, Série: CoolMOS P6, MPN: IPL60R360P6SATMA1.

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    Infineon MOSFET Transistor & Diode canal N, ThinkPAK 8 x 8 151 A 650 V, 5 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 0,065 O, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 30V, Série: CoolMOS P7, MPN: IPL60R065P7AUMA1.

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