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Infineon MOSFET Transistor & Diode Canal N, ThinPAK 5 X 6 30 A 650 V, 5 Broches

About The Infineon MOSFET Transistor & Diode canal N, ThinPAK 5 x 6 30 A 650 V, 5 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 0,36 O, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 4.5V, Nombre d'éléments par circuit: 1, Série: CoolMOS P6, MPN: IPL60R360P6SATMA1

Infineon MOSFET Transistor & Diode canal N, ThinPAK 5 x 6 30 A 650 V, 5 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 0,36 O, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 4.5V, Nombre d'éléments par circuit: 1, Série: CoolMOS P6, MPN: IPL60R360P6SATMA1

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Specifications of Infineon MOSFET Transistor & Diode Canal N, ThinPAK 5 X 6 30 A 650 V, 5 Broches

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