Onsemi MOSFET Canal P, SOT-323 1,5 A 8 V, 3 Broches
About The 45V, Dissipation de puissance maximum: 330 mW, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -8 V, +8 V, Hauteur: 0.onsemi MOSFET canal P, SOT-323 1,5 A 8 V, 3 broches, Type de boîtier: SOT-323 (SC-70), Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 210 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil minimale de la grille: 0
onsemi MOSFET canal P, SOT-323 1,5 A 8 V, 3 broches, Type de boîtier: SOT-323 (SC-70), Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 210 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil minimale de la grille: 0.45V, Dissipation de puissance maximum: 330 mW, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -8 V, +8 V, Hauteur: 0.9mm, Longueur: 2.2mm, MPN: NTS2101PT1G
Composants Electroniques & Energie et Connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors MOSFET
Onsemi MOSFET Canal P, SOT-323 1,5 A 8 V, 3 Broches
Composants Electroniques & Energie et Connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors MOSFET
Specifications of Onsemi MOSFET Canal P, SOT-323 1,5 A 8 V, 3 Broches | |
|---|---|
| Category | |
| Instock | instock |
