Onsemi MOSFET Canal P, SOT-563 950 MA 20 V, 6 Broches
About The .onsemi MOSFET canal P, SOT-563 950 mA 20 V, 6 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 240 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 1V, Dissipation de puissance maximum: 210 mW, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -8 V, +8 V, Hauteur: 0
onsemi MOSFET canal P, SOT-563 950 mA 20 V, 6 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 240 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 1V, Dissipation de puissance maximum: 210 mW, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -8 V, +8 V, Hauteur: 0.6mm, Longueur: 1.7mm, MPN: NTZS3151PT1G
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Onsemi MOSFET Canal P, SOT-563 950 MA 20 V, 6 Broches
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Specifications of Onsemi MOSFET Canal P, SOT-563 950 MA 20 V, 6 Broches | |
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