Infineon MOSFET Canal N, TDSON 100 A 30 V, 8 Broches
About The 1mm, Longueur: 6.1mm, MPN: BSC011N03LSATMA1
Infineon MOSFET canal N, TDSON 100 A 30 V, 8 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 1,4 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Dissipation de puissance maximum: 96 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -20 V, +20 V, Tension directe de la diode: 1V, Hauteur: 1.1mm, Longueur: 6.1mm, MPN: BSC011N03LSATMA1
Composants Electroniques & Energie et Connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors MOSFET
Infineon MOSFET Canal N, TDSON 100 A 30 V, 8 Broches
Composants Electroniques & Energie et Connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors MOSFET
Specifications of Infineon MOSFET Canal N, TDSON 100 A 30 V, 8 Broches | |
|---|---|
| Category | |
| Instock | instock |
