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Mecalectro Ventouse électromagnétique 24V C.c., 5500N Diam 110mm

About The , 5500N Diam 110mm, Longueur: 50mm, MPN: 5.c

Mecalectro Ventouse électromagnétique 24V c.c., 5500N Diam 110mm, Longueur: 50mm, MPN: 5.86.01

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Mecalectro Ventouse électromagnétique 24V C.c., 5500N Diam 110mm

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Specifications of Mecalectro Ventouse électromagnétique 24V C.c., 5500N Diam 110mm

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TE Connectivity Résistance CMS série 3521 3kΩ, boitier 2512 (6432M) ±1% 2W

TE Connectivity Résistance CMS série 3521 3kΩ, boitier 2512 (6432M) ±1% 2W

TE Connectivity Résistance CMS série 3521 3kΩ, boitier 2512 (6432M) ±1% 2W, Technologie: Film couche épaisse, Coefficient de température: ±100ppm/°C, Température d'utilisation minimum: -55°C, Température d'utilisation maximum: +155°C, MPN: 35213K0FT.

  • Composants Electroniques & Energie et Connecteurs
  • Passifs
  • Résistances
  • Résistances à montage en surface
  • TE Connectivity
    • Roline Câble DVI 2m Mâle vers Mâle

    Roline Câble DVI 2m Mâle vers Mâle

    04.5525-25.Roline Câble DVI 2m Mâle vers Mâle, Connecteur 1: DVI-D Dual Link, Couleur de gaine: Noir, MPN: 11.

  • Automatisme Industriel & Contrôle de process & Electrique et Câbles
  • Câbles & cordons et fils
  • Câbles AV
  • Câbles DVI
  • Roline
    • DiodesZetex Transistor, NPN Simple, 1 A, 45 V, TO-92, 3 broches

    DiodesZetex Transistor, NPN Simple, 1 A, 45 V, TO-92, 3 broches

    01 x 4.DiodesZetex Transistor, NPN Simple, 1 A, 45 V, TO-92, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 1 W, Gain en courant DC minimum: 100, Tension Collecteur Base maximum: 60 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 150 MHz, Dimensions: 4.

  • Composants Electroniques & Energie et Connecteurs
  • Semi-conducteurs
  • Composants discrets
  • Transistors bipolaires
  • DiodesZetex
    • onsemi Diode CMS, 3A, 200V, DO-214AB (SMC)

    onsemi Diode CMS, 3A, 200V, DO-214AB (SMC)

    onsemi Diode CMS, 3A, 200V, DO-214AB (SMC), Configuration de diode: Simple, Type de redressement: Commutation, Type diode: Redresseur, Chute minimale de tension directe: 890mV, Technologie de diode: Jonction au silicium, Temps de recouvrement inverse crête: 35ns, courant direct de surcharge non-répétitif de crête: 75A, MPN: MURS320T3G.

  • Composants Electroniques & Energie et Connecteurs
  • Semi-conducteurs
  • Composants discrets
  • Diodes Schottky et de redressements
  • onsemi
    • onsemi Diode CMS, 3A, 200V, DO-214AB (SMC)

    onsemi Diode CMS, 3A, 200V, DO-214AB (SMC)

    onsemi Diode CMS, 3A, 200V, DO-214AB (SMC), Configuration de diode: Simple, Type de redressement: Commutation, Type diode: Redresseur, Chute minimale de tension directe: 890mV, Technologie de diode: Jonction au silicium, Temps de recouvrement inverse crête: 35ns, courant direct de surcharge non-répétitif de crête: 75A, MPN: MURS320T3G.

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