Vishay MOSFET Canal N, D2PAK (TO-263) 28 A 100 V, 3 Broches
About The 67mm, Température d'utilisation maximum: +175 °C, MPN: SIHL540STRL-GE3.Vishay MOSFET canal N, D2PAK (TO-263) 28 A 100 V, 3 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 110 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil minimale de la grille: 1V, Dissipation de puissance maximum: 150 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -10 V, +10 V, Longueur: 10
Vishay MOSFET canal N, D2PAK (TO-263) 28 A 100 V, 3 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 110 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil minimale de la grille: 1V, Dissipation de puissance maximum: 150 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -10 V, +10 V, Longueur: 10.67mm, Température d'utilisation maximum: +175 °C, MPN: SIHL540STRL-GE3
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Vishay MOSFET Canal N, D2PAK (TO-263) 28 A 100 V, 3 Broches
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Specifications of Vishay MOSFET Canal N, D2PAK (TO-263) 28 A 100 V, 3 Broches | |
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