onsemi MOSFET canal N, SOIC 7 A 30 V, 8 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 23 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil minimale de la grille: 1.2V, Dissipation de puissance maximum: 1,6 W, Configuration du transistor: Isolé, Tension Grille Source maximum: -20 V, +20 V, Longueur: 5mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: FDS8984
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Onsemi MOSFET Canal N, SOIC 7 A 30 V, 8 Broches
Specifications of Onsemi MOSFET Canal N, SOIC 7 A 30 V, 8 Broches | |
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