Toshiba MOSFET canal P, SOT-23 3,5 A 60 V, 3 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 1,29 e + 008 Ω, Tension de seuil maximale de la grille: 2V, Matériau du transistor: Silicium, MPN: SSM3J351R,LF(T
Composants Electroniques & Energie et Connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors MOSFET
Toshiba MOSFET Canal P, SOT-23 3,5 A 60 V, 3 Broches
Specifications of Toshiba MOSFET Canal P, SOT-23 3,5 A 60 V, 3 Broches | |
---|---|
Category | |
Instock | instock |