Infineon SRAM 1Mbit 128 K X 8

Name: Infineon SRAM 1Mbit 128 K X 8 & Infineon
Brand: Infineon
SKU: CAXB-442787
Price: 452.65 EUR
Availability: InStock

About The Infineon SRAM 1Mbit 128 K x 8, Nombre de mots: 128k, Nombre de bits par mot: 8bit, MPN: CY62128EV30LL-45ZAXI

Infineon SRAM 1Mbit 128 K x 8, Nombre de mots: 128k, Nombre de bits par mot: 8bit, MPN: CY62128EV30LL-45ZAXI

Composants Electroniques & Energie et Connecteurs > Semi-conducteurs > Mémoires > Mémoires SRAM

Molex Câbles en nappe 8 voies, pas de 1mm

Yageo Résistance fixe CMS 820Ω, boitier 0805 (2012M) ± 1.0% 125mW

Composants Electroniques & Energie et Connecteurs > Semi-conducteurs > Mémoires > Mémoires SRAM

Specifications of Infineon SRAM 1Mbit 128 K X 8
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Last Updated June 6th, 2024 12:02 am

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Crouzet Microrupteur Levier à galet, Cosse, 1 RT, 16 A @ 250 V c.a.

5N, Température de fonctionnement: -20 → +125°C, MPN: 83160065.

Automatisme Industriel & Contrôle de process & Electrique et Câbles

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Infineon Mémoire FRAM, FM16W08-SG, 64Kbit, 8K x 8, Parallèle, SOIC, 28 broches

Infineon Mémoire FRAM, 64Kbit, 8K x 8, Parallèle, SOIC, 28 broches, Largeur de bus de données: 8bit, MPN: FM16W08-SG.

Composants Electroniques & Energie et Connecteurs

Infineon Module IGBT, FF450R07ME4B11BPSA1,, 240 A, 1 200 V, Module

Infineon Module IGBT,, 240 A, 1 200 V, Module, Tension Grille Emetteur maximum: +/-20V, Dissipation de puissance maximum: 1,1 kW, Type de montage: Montage panneau, MPN: FF450R07ME4B11BPSA1.

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XP Power Alimentation à découpage, 15W, 1 sortie à 48V c.c.

320mA, Tension d'entrée: 120 → 370 V dc, 85 → 264 V ac, Type de montage: Montage sur CI, Type de boîtier: Encapsulé, Longueur: 65mm, Largeur: 33.3mm, Homologué pour applications médicales: Oui, Profondeur: 24.c.

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Alimentations

Alimentations à découpage

XP Power

onsemi Diode traversante, 60A, 100V, A-220

onsemi Diode traversante, 60A, 100V, A-220, Configuration de diode: Cathode commune, Type de redressement: Commutation, Type diode: Schottky, Nombre de broche: 3, Chute minimale de tension directe: 980mV, courant direct de surcharge non-répétitif de crête: 350A, MPN: MBR60H100CTG.

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