Taiwan Semiconductor MOSFET Canal N, DPAK (TO-252) 4,5 A 700 V, 3 Broches

a.

5mm, Quantité: 1000, Imprimable: Non, Matériau: PVC, Température minimum d'utilisation: -65°C, Température maximum d'utilisation: +105°C, Résistant à /aux: Acides, alcalins, essence/carburants, Température d'utilisation: -65 → +105 °C, MPN: 515-03962 HGDC2-5 -PVC-WH.

Maximum +60 °C.

5 → 14V, 30 x 150 x 104mm, Source d'alimentation: Alimentation, Profondeur: 30 mm, Hauteur: 150 mm, MPN: AZ6301.ABUS Security-Center Dispositif de numérotation téléphonique, Composeur vocal Terxon, 11.

Schneider Electric Coffret individuel à simple porte Thalassa PLATZ en Polyester Gris, IP54, 1000x750x320mm, Produit Better World: Oui, Certification Better World: Green Premium, MPN: NSYPLAZ1073G.

Raaco Boite compartimentée, Plastique, 47mm x 79mm x 109mm, Matériau: PP, Couleur: Transparent, MPN: 105583.

Raaco Boite compartimentée, Plastique, 69mm x 55mm x 157mm, Matériau: PP, Couleur: Transparent, Numéro de modèle: Insert 80 BA santé, MPN: 119283.

Taiwan Semiconductor MOSFET canal N, DPAK (TO-252) 4,5 A 700 V, 3 broches, Type de montage: CMS, Nombre de broche: 3 + Tab, Résistance Drain Source maximum: 900 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 4V, Tension de seuil minimale de la grille: 2V, Dissipation de puissance maximum: 50 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: ±30 V, Nombre d'éléments par circuit: 1, Tension directe de la diode: 1.

Raaco Boite compartimentée, Plastique, 69mm x 55mm x 157mm, Matériau: PP, Couleur: Transparent, Numéro de modèle: Insert 80 BA santé, MPN: 119283.

4V, MPN: TSM70N900CP.Taiwan Semiconductor MOSFET canal N, DPAK (TO-252) 4,5 A 700 V, 3 broches, Type de montage: CMS, Nombre de broche: 3 + Tab, Résistance Drain Source maximum: 900 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 4V, Tension de seuil minimale de la grille: 2V, Dissipation de puissance maximum: 50 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: ±30 V, Nombre d'éléments par circuit: 1, Tension directe de la diode: 1.