Infineon MOSFET Canal N, DSO 7,7 A 30 V, 8 Broches
About The .1V, Dissipation de puissance maximum: 2 W, Configuration du transistor: Isolé, Tension Grille Source maximum: -20 V, +20 V, Hauteur: 1
Infineon MOSFET canal N, DSO 7,7 A 30 V, 8 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 27 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 2.1V, Dissipation de puissance maximum: 2 W, Configuration du transistor: Isolé, Tension Grille Source maximum: -20 V, +20 V, Hauteur: 1.65mm, MPN: BSO220N03MDGXUMA1
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Infineon MOSFET Canal N, DSO 7,7 A 30 V, 8 Broches
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Specifications of Infineon MOSFET Canal N, DSO 7,7 A 30 V, 8 Broches | |
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