Vishay MOSFET Canal N, TO-220AB 29 A 600 V, 3 Broches
About The 51mm, MPN: SiHP30N60E-GE3.49mm, Longueur: 10
Vishay MOSFET canal N, TO-220AB 29 A 600 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 125 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil minimale de la grille: 2V, Dissipation de puissance maximum: 250 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -20 V, +20 V, Hauteur: 15.49mm, Longueur: 10.51mm, MPN: SiHP30N60E-GE3
Composants Electroniques & Energie et Connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors MOSFET
Vishay MOSFET Canal N, TO-220AB 29 A 600 V, 3 Broches
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Specifications of Vishay MOSFET Canal N, TO-220AB 29 A 600 V, 3 Broches | |
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