DiodesZetex MOSFET Canal N, SOT-346 11 A 12 Mo, 3 Broches
About The 1mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: DMN1019USN-7.35V, Dissipation de puissance maximum: 1,2 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -8 V, +8 V, Longueur: 3
DiodesZetex MOSFET canal N, SOT-346 11 A 12 Mo, 3 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 41 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 0.8V, Tension de seuil minimale de la grille: 0.35V, Dissipation de puissance maximum: 1,2 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -8 V, +8 V, Longueur: 3.1mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: DMN1019USN-7
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DiodesZetex MOSFET Canal N, SOT-346 11 A 12 Mo, 3 Broches
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Specifications of DiodesZetex MOSFET Canal N, SOT-346 11 A 12 Mo, 3 Broches | |
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