onsemi Diode traversante ON Semiconductor, 8A, 200V, TO-220AC, Configuration de diode: Simple, Type de redressement: Commutation, Type diode: Jonction au silicium, Chute minimale de tension directe: 1.25V, Temps de recouvrement inverse crête: 35ns, courant direct de surcharge non-répétitif de crête: 100A, MPN: BYW80-200G
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Onsemi Diode Traversante ON Semiconductor, 8A, 200V, TO-220AC
Specifications of Onsemi Diode Traversante ON Semiconductor, 8A, 200V, TO-220AC | |
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