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STMicroelectronics MOSFET Canal N, D2PAK (TO-263) 28 A 600 V, 3 Broches

About The STMicroelectronics MOSFET canal N, D2PAK (TO-263) 28 A 600 V, 3 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 0,094 Ω, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 4.9V, Nombre d'éléments par circuit: 1, Matériau du transistor: SiC, Série: STB37N60, MPN: STB37N60DM2AG

STMicroelectronics MOSFET canal N, D2PAK (TO-263) 28 A 600 V, 3 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 0,094 Ω, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 4.9V, Nombre d'éléments par circuit: 1, Matériau du transistor: SiC, Série: STB37N60, MPN: STB37N60DM2AG

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Specifications of STMicroelectronics MOSFET Canal N, D2PAK (TO-263) 28 A 600 V, 3 Broches

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