Infineon MOSFET Canal P, D2PAK-7 180 A 40 V, 7 Broches
About The Infineon MOSFET canal P, D2PAK-7 180 A 40 V, 7 broches, Type de boîtier: D2PAK (TO-263), Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 3,9 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 2.2V, Tension de seuil minimale de la grille: 1
Infineon MOSFET canal P, D2PAK-7 180 A 40 V, 7 broches, Type de boîtier: D2PAK (TO-263), Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 3,9 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 2.2V, Tension de seuil minimale de la grille: 1.2V, Dissipation de puissance maximum: 150 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -16 V, +16 V, Tension directe de la diode: 1.3V, MPN: IPB180P04P4L-02
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Infineon MOSFET Canal P, D2PAK-7 180 A 40 V, 7 Broches
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Specifications of Infineon MOSFET Canal P, D2PAK-7 180 A 40 V, 7 Broches | |
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