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Infineon MOSFET Canal N, A-220 13 A 700 V, 3 Broches

About The Infineon MOSFET canal N, A-220 13 A 700 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 190 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Dissipation de puissance maximum: 72 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -30 V, +30 V, Longueur: 10.36mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: IPP65R190C7FKSA1

Infineon MOSFET canal N, A-220 13 A 700 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 190 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Dissipation de puissance maximum: 72 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -30 V, +30 V, Longueur: 10.36mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: IPP65R190C7FKSA1

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Specifications of Infineon MOSFET Canal N, A-220 13 A 700 V, 3 Broches

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