WeEn Semiconductors Co., Ltd Diode traversante, 10A, 600V, TO-220F, Configuration de diode: Simple, Type de redressement: Usage général, Type diode: Ultrarapide, Chute minimale de tension directe: 2.5V, Technologie de diode: Jonction au silicium, Temps de recouvrement inverse crête: 30ns, courant direct de surcharge non-répétitif de crête: 71A, MPN: BYC10DX-600,127
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WeEn Semiconductors Co., Ltd Diode Traversante, 10A, 600V, TO-220F
Specifications of WeEn Semiconductors Co., Ltd Diode Traversante, 10A, 600V, TO-220F | |
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