Onsemi MOSFET Canal N/P, SOIC 3,5 A, 4,5 A 60 V, 8 Broches
About The onsemi MOSFET canal N/P, SOIC 3,5 A, 4,5 A 60 V, 8 broches, Type de canal: N, P, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 55 mΩ, 105 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Dissipation de puissance maximum: 2 W, Configuration du transistor: Isolé, Tension Grille Source maximum: -20 V, +20 V, Longueur: 5mm, Température d'utilisation maximum: +175 °C, MPN: FDS4559
onsemi MOSFET canal N/P, SOIC 3,5 A, 4,5 A 60 V, 8 broches, Type de canal: N, P, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 55 mΩ, 105 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Dissipation de puissance maximum: 2 W, Configuration du transistor: Isolé, Tension Grille Source maximum: -20 V, +20 V, Longueur: 5mm, Température d'utilisation maximum: +175 °C, MPN: FDS4559
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Onsemi MOSFET Canal N/P, SOIC 3,5 A, 4,5 A 60 V, 8 Broches
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Specifications of Onsemi MOSFET Canal N/P, SOIC 3,5 A, 4,5 A 60 V, 8 Broches | |
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