Microchip MOSFET Canal N, TO-39 350 MA 90 V, 3 Broches
About The 8V, Dissipation de puissance maximum: 6,25 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: 20 V, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: 2N6661.Microchip MOSFET canal N, TO-39 350 mA 90 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 5 Ω, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 2V, Tension de seuil minimale de la grille: 0
Microchip MOSFET canal N, TO-39 350 mA 90 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 5 Ω, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 2V, Tension de seuil minimale de la grille: 0.8V, Dissipation de puissance maximum: 6,25 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: 20 V, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: 2N6661
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Microchip MOSFET Canal N, TO-39 350 MA 90 V, 3 Broches
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Specifications of Microchip MOSFET Canal N, TO-39 350 MA 90 V, 3 Broches | |
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