Infineon MOSFET canal N, DPAK (TO-252) 3,9 A 800 V, 3 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 1.4 Ω, Tension de seuil maximale de la grille: 3.9V, Série: CoolMOS CE, MPN: IPD80R1K4CEATMA1
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Infineon MOSFET Canal N, DPAK (TO-252) 3,9 A 800 V, 3 Broches
Specifications of Infineon MOSFET Canal N, DPAK (TO-252) 3,9 A 800 V, 3 Broches | |
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