Microchip Mémoire EEPROM, 24C65-I/P, 64Kbit, Série-I2C PDIP/SOIJ, 8 Broches, 8bit

24.

12.

a.c.

, Montage panneau, 1 contact, Nombre de fonctions du minuteur: Impulsion unique, Configuration de contact: 1 RT, Incrément de temps: Heures, minutes, secondes, Courant maximum: 0.c.

Microchip Mémoire EEPROM en série, 1Kbit, 3 fils DFN/TDFN, MSOP, PDIP, SOIC, SOT-23, TSSOP, 8 broches, 8bit, Type de montage: CMS, Temps d'accès aléatoire maximum: 200ns, MPN: 93C46A-I/SN.

7mm, MPN: IRFP4310ZPBF.Infineon MOSFET canal N, TO-247AC 134 A 100 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 6 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 4V, Tension de seuil minimale de la grille: 2V, Dissipation de puissance maximum: 280 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -20 V, +20 V, Hauteur: 20.

Microchip Mémoire EEPROM en série, 4Kbit, Série-SPI MSOP, PDIP, SOIC, TSS, TSSOP, 8 broches, 8bit, Type de montage: CMS, Configuration: 512 x 8 bits, Tension d'alimentation de fonctionnement minimum: 1,8 V, Tension d'alimentation fonctionnement maximum: 5,5 V, Tension de programmation: 1.

Microchip Mémoire EEPROM, 64Kbit, Série-I2C PDIP/SOIJ, 8 broches, 8bit, Temps d'accès aléatoire maximum: 900ns, MPN: 24C65-I/P.

Microchip Mémoire EEPROM en série, 4Kbit, Série-SPI MSOP, PDIP, SOIC, TSS, TSSOP, 8 broches, 8bit, Type de montage: CMS, Configuration: 512 x 8 bits, Tension d'alimentation de fonctionnement minimum: 1,8 V, Tension d'alimentation fonctionnement maximum: 5,5 V, Tension de programmation: 1.95mm, Conservation des données: 200an, Température d'utilisation maximum: +85 °C, Temps d'accès aléatoire maximum: 50ns, Température de fonctionnement minimum: -40 °C, MPN: 25AA040A-I/MS.

Microchip Mémoire EEPROM, 64Kbit, Série-I2C PDIP/SOIJ, 8 broches, 8bit, Temps d'accès aléatoire maximum: 900ns, MPN: 24C65-I/P.