onsemi Transistor, PNP Isolé, -3 A, -40 V, SOIC, 8 broches Dual, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 783 mW, Gain en courant DC minimum: 0.9, Tension Collecteur Base maximum: -40 V c.c., Tension Emetteur Base maximum: -7 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 100 MHz (minimum), Nombre d'éléments par circuit: 2, Dimensions: 5 x 4 x 1.5mm, MPN: NSS40300MDR2G
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Onsemi Transistor, PNP Isolé, -3 A, -40 V, SOIC, 8 Broches Dual
Specifications of Onsemi Transistor, PNP Isolé, -3 A, -40 V, SOIC, 8 Broches Dual | |
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