onsemi MOSFET canal N, PQFN8 130 A 80 V, 8 broches, Type de boîtier: Puissance 56, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 3,8 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil minimale de la grille: 2.5V, Dissipation de puissance maximum: 156 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -20 V, +20 V, Hauteur: 1.05mm, Longueur: 5.1mm, MPN: FDMS86350
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Onsemi MOSFET Canal N, PQFN8 130 A 80 V, 8 Broches
Specifications of Onsemi MOSFET Canal N, PQFN8 130 A 80 V, 8 Broches | |
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