Taiwan Semiconductor MOSFET canal N, SOT-23 2,8 A 20 V, 3 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 65 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 1.2V, Dissipation de puissance maximum: 900 mW, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -8 V, +8 V, Hauteur: 0.95mm, Longueur: 3.05mm, MPN: TSM2302CX RFG
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Taiwan Semiconductor MOSFET Canal N, SOT-23 2,8 A 20 V, 3 Broches
Specifications of Taiwan Semiconductor MOSFET Canal N, SOT-23 2,8 A 20 V, 3 Broches | |
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