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Onsemi MOSFET Canal N, DFNW8 433 A 40 V, 8 Broches

About The onsemi MOSFET canal N, DFNW8 433 A 40 V, 8 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 630 μΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 2.5V, Tension de seuil minimale de la grille: 1V, Dissipation de puissance maximum: 205 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: ±20 V, Longueur: 8

onsemi MOSFET canal N, DFNW8 433 A 40 V, 8 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 630 μΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 2.5V, Tension de seuil minimale de la grille: 1V, Dissipation de puissance maximum: 205 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: ±20 V, Longueur: 8.1mm, Température d'utilisation maximum: +175 °C, MPN: NVMTS0D7N04CLTXG

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Specifications of Onsemi MOSFET Canal N, DFNW8 433 A 40 V, 8 Broches

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