Infineon MOSFET canal N, D2PAK-7 180 A 60 V, 7 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 1,7 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 4V, Tension de seuil minimale de la grille: 2V, Dissipation de puissance maximum: 250 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -20 V, +20 V, Longueur: 10.31mm, Température d'utilisation maximum: +175 °C, MPN: IPB017N06N3GATMA1
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Infineon MOSFET Canal N, D2PAK-7 180 A 60 V, 7 Broches
Specifications of Infineon MOSFET Canal N, D2PAK-7 180 A 60 V, 7 Broches | |
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