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Nexperia MOSFET Canal N, SOT-363 870 MA 20 V, 6 Broches

About The 45V, Dissipation de puissance maximum: 400 mW, Configuration du transistor: Isolé, Tension Grille Source maximum: -8 V, +8 V, Longueur: 2.Nexperia MOSFET canal N, SOT-363 870 mA 20 V, 6 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 340 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 1V, Tension de seuil minimale de la grille: 0

Nexperia MOSFET canal N, SOT-363 870 mA 20 V, 6 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 340 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 1V, Tension de seuil minimale de la grille: 0.45V, Dissipation de puissance maximum: 400 mW, Configuration du transistor: Isolé, Tension Grille Source maximum: -8 V, +8 V, Longueur: 2.2mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: PMGD280UN,115

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