onsemi MOSFET canal P, SOT-563 430 mA 20 V, 6 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 2 Ω, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 1V, Dissipation de puissance maximum: 280 mW, Configuration du transistor: Isolé, Tension Grille Source maximum: -6 V, +6 V, Hauteur: 0.6mm, Longueur: 1.7mm, MPN: NTZD3152PT1G
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Onsemi MOSFET Canal P, SOT-563 430 MA 20 V, 6 Broches
Specifications of Onsemi MOSFET Canal P, SOT-563 430 MA 20 V, 6 Broches | |
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