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Infineon IGBT, FP15R12KE3GBPSA1,, 1200 V, AG-ECONO2C-311

About The Infineon IGBT,, 1200 V, AG-ECONO2C-311, Tension Grille Emetteur maximum: ±20V, Dissipation de puissance maximum: 105 W, MPN: FP15R12KE3GBPSA1

Infineon IGBT,, 1200 V, AG-ECONO2C-311, Tension Grille Emetteur maximum: ±20V, Dissipation de puissance maximum: 105 W, MPN: FP15R12KE3GBPSA1

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Specifications of Infineon IGBT, FP15R12KE3GBPSA1,, 1200 V, AG-ECONO2C-311

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Infineon MOSFET canal N, PG-TDSON 100 A 40 V

Infineon MOSFET canal N, PG-TDSON 100 A 40 V

Infineon MOSFET canal N, PG-TDSON 100 A 40 V, Type de montage: CMS, MPN: IAUC100N04S6N015ATMA1.

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    Infineon Module IGBT,, 1200 V, AG-ECONO2B-411, MPN: FS75R12KT4B15BPSA1.

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    Infineon IGBT,, AG-EASY2B-711, Dissipation de puissance maximum: 20 mW, MPN: FP35R12W2T7BPSA1.

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    Vishay Diode traversante, 30A, 45V, TO-220AC

    Vishay Diode traversante, 30A, 45V, TO-220AC, Configuration de diode: Simple, Type de redressement: Redresseur Schottky, Chute minimale de tension directe: 600mV, Nombre d'éléments par circuit: 1, Technologie de diode: Barrière Schottky, MPN: VT3045BP-M3/4W.

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    Vishay Diode traversante, 30A, 45V, TO-220AC, Configuration de diode: Simple, Type de redressement: Redresseur Schottky, Chute minimale de tension directe: 600mV, Nombre d'éléments par circuit: 1, Technologie de diode: Barrière Schottky, MPN: VT3045BP-M3/4W.

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