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Vishay Diode Traversante, 30A, 45V, TO-220AC

About The Vishay Diode traversante, 30A, 45V, TO-220AC, Configuration de diode: Simple, Type de redressement: Redresseur Schottky, Chute minimale de tension directe: 600mV, Nombre d'éléments par circuit: 1, Technologie de diode: Barrière Schottky, MPN: VT3045BP-M3/4W

Vishay Diode traversante, 30A, 45V, TO-220AC, Configuration de diode: Simple, Type de redressement: Redresseur Schottky, Chute minimale de tension directe: 600mV, Nombre d'éléments par circuit: 1, Technologie de diode: Barrière Schottky, MPN: VT3045BP-M3/4W

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Specifications of Vishay Diode Traversante, 30A, 45V, TO-220AC

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HARTING Contact à sertir, Série Han E, 16A, Femelle

HARTING Contact à sertir, Série Han E, 16A, Femelle

5mm², Type de raccordement: A sertir, MPN: 09330006220.

  • Composants Electroniques & Energie et Connecteurs
  • Connecteurs
  • Connecteurs de puissance
  • Contacts de connecteur d'alimentation à usage intensif
  • HARTING
    • Wurth Elektronik Entretoise filetée, longueur 30mm, Mâle / Femelle, M3 x M3

    Wurth Elektronik Entretoise filetée, longueur 30mm, Mâle / Femelle, M3 x M3

    5mm, Profondeur du trou: 10mm, Finition: Nickelé, MPN: 971300324.

  • Mécanique & Fluides et Outillage
  • Visserie et Fixations
  • Entretoises et entretoises filetées
  • Entretoises filetées
  • Wurth Elektronik
    • NSK Roulement à billes Roulement à billes à gorge profonde à une rangée, ø int.

    NSK Roulement à billes Roulement à billes à gorge profonde à une rangée, ø int.

    NSK Roulement à billes Roulement à billes à gorge profonde à une rangée, ø int.6kN, Type d'alésage: Parallèle, Série de roulement: 0 Extra-légère, Type de bague: Plat, MPN: 6002DDUC3.

  • Mécanique & Fluides et Outillage
  • Roulements et joints
  • Roulements et paliers
  • Roulements à billes
  • NSK
    • Infineon MOSFET canal N, PG-TDSON 100 A 40 V

    Infineon MOSFET canal N, PG-TDSON 100 A 40 V

    Infineon MOSFET canal N, PG-TDSON 100 A 40 V, Type de montage: CMS, MPN: IAUC100N04S6N022ATMA1.

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  • Infineon
    • Infineon MOSFET canal N, PG-TDSON 100 A 40 V

    Infineon MOSFET canal N, PG-TDSON 100 A 40 V

    Infineon MOSFET canal N, PG-TDSON 100 A 40 V, Type de montage: CMS, MPN: IAUC100N04S6N015ATMA1.

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    • Infineon Module IGBT, FS75R12KT4B15BPSA1,, 1200 V, AG-ECONO2B-411

    Infineon Module IGBT, FS75R12KT4B15BPSA1,, 1200 V, AG-ECONO2B-411

    Infineon Module IGBT,, 1200 V, AG-ECONO2B-411, MPN: FS75R12KT4B15BPSA1.

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    • Infineon IGBT, FP35R12W2T7BPSA1,, AG-EASY2B-711

    Infineon IGBT, FP35R12W2T7BPSA1,, AG-EASY2B-711

    Infineon IGBT,, AG-EASY2B-711, Dissipation de puissance maximum: 20 mW, MPN: FP35R12W2T7BPSA1.

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    Vishay Diode traversante, 30A, 45V, TO-220AC

    Vishay Diode traversante, 30A, 45V, TO-220AC, Configuration de diode: Simple, Type de redressement: Redresseur Schottky, Chute minimale de tension directe: 600mV, Nombre d'éléments par circuit: 1, Technologie de diode: Barrière Schottky, MPN: VT3045BP-M3/4W.

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    Infineon IGBT, FP35R12W2T7BPSA1,, AG-EASY2B-711

    Infineon IGBT,, AG-EASY2B-711, Dissipation de puissance maximum: 20 mW, MPN: FP35R12W2T7BPSA1.

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    Vishay Diode traversante, 30A, 45V, TO-220AC, Configuration de diode: Simple, Type de redressement: Redresseur Schottky, Chute minimale de tension directe: 600mV, Nombre d'éléments par circuit: 1, Technologie de diode: Barrière Schottky, MPN: VT3045BP-M3/4W.

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